「安藤博記念学術奨励賞」は、電子工学の基礎を築いた安藤博氏の長きにわたる功績を記念し、エレクトロニク分野の優れた若手研究者に贈呈することにより、エレクトロニクスと電子産業の育成と発展に寄与することを目的とした、一般財団法人 安藤研究所より授与されている賞です。

また本受賞内容は、日刊工業新聞で紹介されました。

電荷移動錯体-ハロゲン化鉛ペロブスカイト複合結晶の創出と光電変換デバイスへの応用

　ハロゲン化鉛ペロブスカイト結晶は、優れた発光および光吸収性能を有する高性能なオプトエレクトロニク材料です。これらのペロブスカイト結晶は、エネルギー (または電荷) ドナーとして他材料の励起状態を制御し、新たな光化学反応への寄与が期待されています。我々は、エネルギー (または電荷) アクセプターとして高い結晶性および多彩な光電特性をもつ電荷移動錯体を用い、電荷移動錯体-ペロブスカイト複合結晶を新規オプトエレクトロニクス材料として提案しました。電荷移動錯体-ペロブスカイト複合材料は、単一結晶では未踏の領域であった超高感度な光検出デバイスや光触媒反応への応用が期待されます。

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